第四场研讨会 | 如何结合等离子FIB刻蚀和激光烧蚀，更GX完成毫米级半导体失效分析

长期以来，提高性能和降低功耗是电子器件设计的基本要求，这需要通过器件构件（晶体管、存储单元等）的小型化、信号通路的减少（将多个组件集成在一个先进封装中）以及优化其它组件（包括显示器、射频、微机电系统和电池）来实现。

开发新产品是一件非常具有挑战性的工作，快速失效分析（FA）有助于确定缺陷的基本原因并向研发人员提供有效的反馈，以保证产品的上市时间和可靠性。对封装、先进封装、显示器、射频、微机电系统以及电池进行快速失效分析时，往往需要在样品表面以下几百微米甚至于几毫米寻找缺陷位置。由于样品结构的特殊性，需要对样品进行大面积的刻蚀以制备出截面才能够对特定的缺陷位置进行分析。因此，近10年来等离子FIB被普遍使用在这个过程中并受到了行业的广泛认可。然而，近年来随着器件结构越趋复杂、缺陷深度显著增加以及必须更快速获得分析结果等原因，对等离子FIB的能力提出了更高的要求。使用激光烧蚀可以将前期制样速度提升数千倍，因此将激光烧蚀技术加入到等离子FIB工作流程中不仅可以更快获得高质量的分析结果，同时也开启与实验室中不同类型设备协同合作的新篇章。

在本次研讨会上，将为您介绍 TESCAN 样品大体积制备的工作流程。使用不同尺寸的要求苛刻的样品进行演示，样品包括复杂器件和不导电硬质材料，您可以看到非常灵活的工作流程。我们将为您展示如何结合超高分辨扫描电镜成像系统快速进行没有伪影的样品制备并揭示样品的真实细节。

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说明：为了让更多的用户可以参与到本次研讨会中，每一场研讨会都有两个时间段可供选，内容相同，与会者可自行选择报名参加其中一个时间段的研讨会。